650 V, 35 mO Gallium Nitride (GaN) FET
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaCourant continu de Drain maximum
47.2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
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€ 697,41
€ 23,247 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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