650 V, 35 mO Gallium Nitride (GaN) FET

N° de stock RS: 243-4620Marque: NexperiaN° de pièce Mfr: GAN041-650WSBQ
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Courant continu de Drain maximum

47.2 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

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€ 20,38

€ 20,38 Each (hors TVA)

650 V, 35 mO Gallium Nitride (GaN) FET
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Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 20,38
2€ 40,75
3€ 61,13
4€ 81,51
5€ 99,90
6€ 119,88
7€ 139,86
8€ 159,84
9€ 179,82
10€ 187,30
11€ 206,02
12€ 224,75
13€ 243,48
14€ 262,21
15€ 280,94

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1

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14€ 262,21
15€ 280,94

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QuantitéPrix unitaire
1 - 4€ 20,38
5 - 9€ 19,98
10 - 299€ 18,73
300+€ 18,37

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