MOSFET Nexperia canal N/P, SOT-363 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
200 mA, 350 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NX3008CBKS
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,4 Ω, 4,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
990 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,52 nC @ 4,5 V, 0,55 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 222,65
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SOT-363
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Résistance Drain Source maximum
1,4 Ω, 4,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
990 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,52 nC @ 4,5 V, 0,55 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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