MOSFET Nexperia canal P, SOT-323 1 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.15V
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 121,23
€ 0,04 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,04 | € 121,23 |
| 9000+ | € 0,04 | € 121,23 |
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P
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1 A
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Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.15V
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
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