MOSFET Nexperia canal N, SOT-323 870 mA 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
870 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
440 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
560 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
0,65 nC @ 4,5 V
Largeur
1.35mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Type de conditionnement
SOT-323
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
560 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
0,65 nC @ 4,5 V
Largeur
1.35mm
Taille
1mm
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