Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 7,46
€ 0,373 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 7,46
€ 0,373 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,373 | € 7,46 |
40 - 80 | € 0,279 | € 5,58 |
100 - 180 | € 0,212 | € 4,25 |
200 - 380 | € 0,201 | € 4,01 |
400+ | € 0,197 | € 3,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 10 V
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit