MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 3,5 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Tension de seuil minimale de la grille
0.75V
Dissipation de puissance maximum
415 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 4,5 V
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 26,18
€ 0,436 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
60
€ 26,18
€ 0,436 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
60
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 60 - 120 | € 0,436 | € 13,09 |
| 150 - 270 | € 0,276 | € 8,27 |
| 300 - 570 | € 0,214 | € 6,43 |
| 600+ | € 0,168 | € 5,04 |
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NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Tension de seuil minimale de la grille
0.75V
Dissipation de puissance maximum
415 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 4,5 V
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
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