MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 3,9 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.9 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
76 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Tension de seuil minimale de la grille
0.47V
Dissipation de puissance maximum
1.92 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idée. Créer. Collaborer
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SOT-23, TO-236
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
1.92 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
1.4mm
Taille
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