MOSFET Nexperia canal N, DPAK (TO-252) 47 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
47 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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2
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.38mm
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