MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de conditionnement
LFPAK, SOT-669
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
72 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
56 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Longueur
5mm
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1
Température d'utilisation maximum
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