Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type d'emballage
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
1,25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.95V
Tension de seuil minimale de la grille
1.05V
Dissipation de puissance maximum
272 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 5,96
€ 1,987 Each (In a Pack of 3) (hors TVA)
Standard
3
€ 5,96
€ 1,987 Each (In a Pack of 3) (hors TVA)
Standard
3
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
3 - 27 | € 1,987 | € 5,96 |
30 - 72 | € 1,832 | € 5,50 |
75 - 147 | € 1,715 | € 5,14 |
150 - 297 | € 1,578 | € 4,73 |
300+ | € 1,449 | € 4,35 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type d'emballage
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
1,25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.95V
Tension de seuil minimale de la grille
1.05V
Dissipation de puissance maximum
272 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit