MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 40 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET N-Channel, 40 V à 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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4
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
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2V
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Single
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1
Longueur
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
1.1mm
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