Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
148 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
42,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET N-Channel, 40 V à 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 48,02
€ 1,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
40
€ 48,02
€ 1,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
40
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
40 - 96 | € 1,20 | € 4,80 |
100 - 196 | € 1,127 | € 4,51 |
200 - 396 | € 1,04 | € 4,16 |
400+ | € 0,957 | € 3,83 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
148 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
42,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit