MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 broches

N° de stock RS: 798-2996PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: PSMN5R5-60YS,115
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

LFPAK, SOT-669

Type de montage

CMS

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

8.3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.1mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

56 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 75,24

€ 1,505 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 5
50€ 75,24
55€ 82,76
60€ 90,28
65€ 97,81
70€ 105,33
75€ 112,85
80€ 120,38
85€ 127,90
90€ 135,43
95€ 142,95
100€ 150,47
105€ 158,00
110€ 165,52
115€ 173,04
120€ 180,57

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95€ 142,95
100€ 150,47
105€ 158,00
110€ 165,52
115€ 173,04
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
50 - 120€ 1,505€ 7,52
125 - 245€ 1,416€ 7,08
250 - 495€ 1,302€ 6,51
500+€ 1,20€ 6,00

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4

Résistance Drain Source maximum

8.3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.1mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

56 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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