MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
8.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 9,24
€ 1,848 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,848 | € 9,24 |
| 50 - 120 | € 1,70 | € 8,50 |
| 125 - 245 | € 1,598 | € 7,99 |
| 250 - 495 | € 1,47 | € 7,35 |
| 500+ | € 1,356 | € 6,78 |
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N
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100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
8.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Taille
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