MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 76 A 30 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
76 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.15V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
51 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.1mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 406,47
€ 0,271 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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4
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.15V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
51 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
4.1mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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