Transistor MOSFET onsemi canal N, SOT-323 340 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
340 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,7 nC @ 4,5 V
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.9mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
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