Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
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Brand
ON SemiconductorType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm


