MOSFET onsemi canal P, SOT-23 3,5 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.01mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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P
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3.5 A
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30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
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