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MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 50 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 325-7625PMarque: ON SemiconductorN° de pièce Mfr: RFP50N06
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

50 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

MegaFET

Type de conditionnement

TO-220AB

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

131 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

125 nC @ 20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

9.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor

Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 1,601Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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€ 16,40

€ 1,64 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

131 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

125 nC @ 20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

9.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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