MOSFET onsemi canal N, SOT-23 115 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Czech Republic
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 109,12
€ 0,036 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,036 | € 109,12 |
| 6000 - 9000 | € 0,035 | € 105,60 |
| 12000 - 27000 | € 0,034 | € 102,08 |
| 30000 - 57000 | € 0,034 | € 102,08 |
| 60000+ | € 0,033 | € 98,56 |
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
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2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
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