MOSFET onsemi canal N, TO-92 500 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
500 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.19mm
Longueur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
5.33mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 111,36
€ 0,111 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | € 0,111 | € 111,36 |
| 3000+ | € 0,09 | € 89,88 |
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3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
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0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
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1
Largeur
4.19mm
Longueur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
5.33mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
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