MOSFET onsemi canal N, SOT-23 200 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 50 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 12,05
€ 0,12 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 12,05
€ 0,12 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,12 | € 3,01 |
| 250 - 475 | € 0,105 | € 2,61 |
| 500 - 975 | € 0,092 | € 2,30 |
| 1000+ | € 0,084 | € 2,10 |
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N
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
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