MOSFET onsemi canal N, SOT-23 200 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.94mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 50 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,42
€ 0,038 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 9,42
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Paquet de production (Bobine)
250
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 250 - 1225 | € 0,038 | € 0,94 |
| 1250 - 2475 | € 0,037 | € 0,91 |
| 2500 - 12475 | € 0,037 | € 0,91 |
| 12500+ | € 0,035 | € 0,88 |
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N
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
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