MOSFET onsemi canal N, SOT-323 210 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
210 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
340 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.25mm
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
0.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 186,55
€ 0,062 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,062 | € 186,56 |
| 6000 - 12000 | € 0,059 | € 176,00 |
| 15000+ | € 0,056 | € 168,96 |
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
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340 mW
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.25mm
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
1.4V
Taille
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Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
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