Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Hauteur
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 7,73
€ 0,077 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 7,73
€ 0,077 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,077 | € 7,73 |
| 500 - 900 | € 0,067 | € 6,70 |
| 1000+ | € 0,058 | € 5,80 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Hauteur
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


