MOSFET onsemi canal N/P, ECH 5,5 A, 7 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
5.5 A, 7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
ECH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ, 39 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 19,64
€ 0,786 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,786 | € 19,64 |
| 100 - 225 | € 0,677 | € 16,94 |
| 250+ | € 0,587 | € 14,68 |
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5.5 A, 7 A
Tension Drain Source maximum
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Type de conditionnement
ECH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ, 39 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.9mm
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Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
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