MOSFET onsemi canal N, PQFN4 10 A 650 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
PQFN4
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
360 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.05mm
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€ 5 108,36
€ 1,703 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
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Single
Tension Grille Source maximum
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Largeur
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
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