MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 52 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
52 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
UniFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
49 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
357 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Largeur
10.16mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
9.98mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.572mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 83,31
€ 1,666 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 83,31
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,666 | € 8,33 |
| 100 - 495 | € 1,443 | € 7,22 |
| 500+ | € 1,268 | € 6,34 |
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N
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Série
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Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
49 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Largeur
10.16mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
9.98mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.572mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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