MOSFET onsemi canal N/P, SOT-23 460 mA, 680 mA 25 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
460 mA, 680 mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω, 450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 4,5 V, 1,64 nC @ 4,5 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Détails du produit
Transistors FET numériques, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 0,58
€ 0,58 Each (hors TVA)
Standard
1
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CMS
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6
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1,1 Ω, 450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 4,5 V, 1,64 nC @ 4,5 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Détails du produit
Transistors FET numériques, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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