MOSFET onsemi canal N/P, DPAK (TO-252) 6,5 A, 9 A 40 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
6,5 A, 9 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ, 54 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Drain commun
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 6,15
€ 1,23 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,23 | € 6,15 |
| 50 - 95 | € 1,06 | € 5,30 |
| 100 - 495 | € 0,918 | € 4,59 |
| 500 - 995 | € 0,808 | € 4,04 |
| 1000+ | € 0,736 | € 3,68 |
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Série
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Type de fixation
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Nombre de broche
5
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Enrichissement
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3V
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1V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Drain commun
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
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ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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