MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 8 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Séries
PowerTrench
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
54 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
6.22mm
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 7,01
€ 1,403 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,01
€ 1,403 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,403 | € 7,01 |
| 50 - 95 | € 1,209 | € 6,04 |
| 100 - 495 | € 1,047 | € 5,24 |
| 500 - 995 | € 0,921 | € 4,60 |
| 1000+ | € 0,839 | € 4,20 |
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8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
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Séries
PowerTrench
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
54 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
6.22mm
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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