Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
94 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
PowerTrench
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
80 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, automobile, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 943,81
€ 0,378 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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N
Courant continu de Drain maximum
94 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
PowerTrench
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
80 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, automobile, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.