MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 12 A, 16 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A, 16 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
PowerTrench, SyncFET
Type de conditionnement
Puissance 33
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7,5 mΩ, 12,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1,9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 10 V, 14 nC @ 5 V, 26 nC @ 10 V, 6,7 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Double transistor MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Conçu pour minimiser les pertes de conversion de puissance, tout en maintenant d'excellentes performances de commutation
Technologie de tranchée hautes performances pour des RDS(on) très faibles
SyncFET™ tire avantage d'une diode Schottky efficace
Applications de convertisseurs c.c.-c.c. à redressement synchrone, de contrôle moteur, de point de charge réseau à commutateur "Low Side"
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 8,04
€ 1,607 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,607 | € 8,04 |
| 50 - 95 | € 1,384 | € 6,92 |
| 100 - 495 | € 1,201 | € 6,01 |
| 500 - 995 | € 1,056 | € 5,28 |
| 1000+ | € 0,96 | € 4,80 |
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N
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12 A, 16 A
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PowerTrench, SyncFET
Type de conditionnement
Puissance 33
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7,5 mΩ, 12,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1,9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 10 V, 14 nC @ 5 V, 26 nC @ 10 V, 6,7 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Double transistor MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Conçu pour minimiser les pertes de conversion de puissance, tout en maintenant d'excellentes performances de commutation
Technologie de tranchée hautes performances pour des RDS(on) très faibles
SyncFET™ tire avantage d'une diode Schottky efficace
Applications de convertisseurs c.c.-c.c. à redressement synchrone, de contrôle moteur, de point de charge réseau à commutateur "Low Side"
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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