Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
PowerTrench
Type de conditionnement
Puissance 33
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
69 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
54 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 10,68
€ 2,136 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 10,68
€ 2,136 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,136 | € 10,68 |
50 - 95 | € 1,84 | € 9,20 |
100 - 495 | € 1,596 | € 7,98 |
500 - 995 | € 1,404 | € 7,02 |
1000+ | € 1,276 | € 6,38 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
PowerTrench
Type de conditionnement
Puissance 33
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
69 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
54 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.