MOSFET onsemi canal N, PQFN8 20 A 200 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
UltraFET
Type de boîtier
PQFN8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
156 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
78 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 3 402,11
€ 1,134 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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N
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Série
UltraFET
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
156 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
78 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
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MOSFET Transistors, ON Semi
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