MOSFET onsemi canal N, Power 56 30 A, 40 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A, 40 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
Puissance 56
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,9 mΩ, 8,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,2 W, 2,5 W
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V, 45 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
Série
PowerTrench
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.05mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,2 W, 2,5 W
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V, 45 nC @ 10 V
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2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
6mm
Matériau du transistor
Si
Série
PowerTrench
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.05mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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