MOSFET onsemi canal N, A-220 265 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 864-4718Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FDP025N06
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

265 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

PowerTrench

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

395 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.7mm

Longueur

10.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

174 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

15.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 177,09

€ 3,542 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, A-220 265 A 60 V, 3 broches

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 50€ 3,542€ 177,09
100 - 200€ 2,823€ 141,13
250 - 450€ 2,671€ 133,53
500 - 950€ 2,508€ 125,39
1000+€ 2,20€ 110,00

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

265 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

PowerTrench

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

395 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.7mm

Longueur

10.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

174 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

15.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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