MOSFET onsemi canal N, A-220 50 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Série
PowerTrench
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
260 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.83mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
16.51mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 152,54
€ 3,051 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
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