MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 5 A 150 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de boîtier
TO-220AB
Série
PowerTrench
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 13,34
€ 2,669 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
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