MOSFET ON Semiconductor canal N, A-220 128 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.67mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
15.21mm
Pays d'origine
China
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€ 2 133,51
€ 2,667 Each (In a Tube of 800) (hors TVA)
800
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.67mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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