MOSFET onsemi canal N, TO-220F 40 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
PowerTrench
Type de boîtier
TO-220F
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
33.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.9mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 17,84
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
33.3 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
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1
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
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