MOSFET onsemi canal P, SOIC 8,8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8.8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 27,10
€ 0,542 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,542 | € 2,71 |
| 100 - 495 | € 0,47 | € 2,35 |
| 500 - 995 | € 0,416 | € 2,08 |
| 1000+ | € 0,378 | € 1,89 |
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P
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8.8 A
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Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Taille
1.5mm
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