2 MOSFET onsemi Isolé canal Type P, Type N, SOIC 4.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches

N° de stock RS: 166-3247Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FDS4559
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

4.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Séries

PowerTrench

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.5nC

Tension directe Vf

0.8V

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température maximale d'utilisation

175°C

Configuration du transistor

Isolated

Largeur

4 mm

Hauteur

1.5mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

No

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 776,28

€ 0,311 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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Surface

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Mode de canal

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20 V

Température minimum de fonctionnement

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Charge de porte typique Qg @ Vgs

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Tension directe Vf

0.8V

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2W

Température maximale d'utilisation

175°C

Configuration du transistor

Isolated

Largeur

4 mm

Hauteur

1.5mm

Longueur

5mm

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No

Nombre d'éléments par circuit

2

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No

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Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

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