Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P, Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4.5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Séries
PowerTrench
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.5nC
Tension directe Vf
0.8V
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température maximale d'utilisation
175°C
Configuration du transistor
Isolated
Largeur
4 mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Nombre d'éléments par circuit
2
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 776,28
€ 0,311 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2500
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Type de canal
Type P, Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4.5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Séries
PowerTrench
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.5nC
Tension directe Vf
0.8V
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température maximale d'utilisation
175°C
Configuration du transistor
Isolated
Largeur
4 mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Nombre d'éléments par circuit
2
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


