MOSFET onsemi canal N, SOIC 6,1 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
PowerTrench
Type de boîtier
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
58,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
3.9mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.57mm
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 20,16
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
3.9mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.57mm
Tension directe de la diode
1.3V
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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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