MOSFET onsemi canal N, SOIC 6,5 A, 7,9 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6,5 A, 7,9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ, 29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 10 V, 12 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.99mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5mm
Série
PowerTrench, SyncFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Détails du produit
Double transistor MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Conçu pour minimiser les pertes de conversion de puissance, tout en maintenant d'excellentes performances de commutation
Technologie de tranchée hautes performances pour des RDS(on) très faibles
SyncFET™ tire avantage d'une diode Schottky efficace
Applications de convertisseurs c.c.-c.c. à redressement synchrone, de contrôle moteur, de point de charge réseau à commutateur "Low Side"
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ, 29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 10 V, 12 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.99mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5mm
Série
PowerTrench, SyncFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Détails du produit
Double transistor MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Conçu pour minimiser les pertes de conversion de puissance, tout en maintenant d'excellentes performances de commutation
Technologie de tranchée hautes performances pour des RDS(on) très faibles
SyncFET™ tire avantage d'une diode Schottky efficace
Applications de convertisseurs c.c.-c.c. à redressement synchrone, de contrôle moteur, de point de charge réseau à commutateur "Low Side"
MOSFET Transistors, ON Semi
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