MOSFET onsemi canal N, SOIC 4.1 A 150 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Séries
PowerTrench
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
126 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 2,05
€ 1,023 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,023 | € 2,04 |
| 20 - 198 | € 0,882 | € 1,76 |
| 200 - 998 | € 0,766 | € 1,53 |
| 1000+ | € 0,672 | € 1,34 |
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8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
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-55 °C
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