MOSFET onsemi canal N, SOIC 18 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
PowerTrench
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Taille
1.575mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 16,84
€ 3,367 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Si
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Taille
1.575mm
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