MOSFET onsemi canal N, SOIC 8,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 5,09
€ 0,509 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,509 | € 5,09 |
| 100 - 240 | € 0,438 | € 4,38 |
| 250 - 490 | € 0,38 | € 3,80 |
| 500 - 990 | € 0,335 | € 3,35 |
| 1000+ | € 0,304 | € 3,04 |
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Type de conditionnement
SOIC W
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
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1.2V
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Single
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±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
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